| 製造業者識別番号 | TK35N65W5,S1F |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 106710 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | TK35N65W5,S1F.pdf |
| 部品番号 | TK35N65W5,S1F |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 95 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.5V @ 2.1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 115nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4100pF @ 300V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 270W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | TK35N65W5,S1F |
QY Componentsには、最高の価格があります。 TK35N65W5,S1F, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 TK35N65W5,S1F, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます TK35N65W5,S1F, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった DF2B18FU,H3F, DF3A6.8CT(TPL3), DF5A5.6FUTE85LF, DF5A6.2F(TE85L,F), DF2S6.8MFS,L3F, DF2B12M2SC, DF6F6.8MCTC(TE85L), DF2S5.6CT,L3F, DF2B6M4SL,L3F, DF3A5.6CT(TPL3) TPH3R003PL,LQ, BUK9620-55A,118, SIR664DP-T1-GE3, PSMN1R2-25YLDX, CSD25404Q3, IPD096N08N3GATMA1, SIR618DP-T1-GE3, BUK7Y9R9-80EX, DMTH6010SK3Q-13, SI8401DB-T1-E1.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W5,S1F 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。