Toshiba Semiconductor and Storage 配給業者 www.qycomp.com TK39J60W5,S1VQ
製造業者識別番号TK39J60W5,S1VQ
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量151350 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード TK39J60W5,S1VQ.pdf

製品の属性

部品番号 TK39J60W5,S1VQ
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 38.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.7V @ 1.9mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 135nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4100pF @ 300V
FET機能 Super Junction
消費電力(最大) 270W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-3P(N)
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 TK39J60W5,S1VQ

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