Toshiba Semiconductor and Storage 配給業者 www.qycomp.com TK4R3E06PL,S1X
製造業者識別番号TK4R3E06PL,S1X
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量459947 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード TK4R3E06PL,S1X.pdf

製品の属性

部品番号 TK4R3E06PL,S1X
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 500µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 48.2nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3280pF @ 30V
FET機能 -
消費電力(最大) 87W (Tc)
動作温度 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 0.001 KG
応用 Email for details
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