Toshiba Semiconductor and Storage 配給業者 www.qycomp.com TK58E06N1,S1X
製造業者識別番号TK58E06N1,S1X
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量149540 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N CH 60V 58A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード TK58E06N1,S1X.pdf

製品の属性

部品番号 TK58E06N1,S1X
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 58A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 5.4 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 500µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 46nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3400pF @ 30V
FET機能 -
消費電力(最大) 110W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 TK58E06N1,S1X

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