| 製造業者識別番号 | TK6A80E,S4X |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 127330 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 800V TO220SIS |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | TK6A80E,S4X.pdf |
| 部品番号 | TK6A80E,S4X |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 800V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.7 Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 600µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 32nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1350pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 45W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220SIS |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | TK6A80E,S4X |
QY Componentsには、最高の価格があります。 TK6A80E,S4X, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 TK6A80E,S4X, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます TK6A80E,S4X, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった DF3A3.3FU(TE85L,F), DF5A6.8LF,LF, DF3D29FU,LF, DF2S6P2CTC,L3F, DF3D6.8MFV(TL3,T), DF5A6.2LFUTE85LF, DF6D7M1N,LF, DF5A6.8CFU(TE85L,F, DF5A3.6F(TE85L,F), DF2S6.2ASL,L3F IRFR220TRLPBF, PSMN2R0-25MLDX, NVTFS5C466NLWFTAG, CMUDM7005 TR, IRF7204PBF, DMTH4007LK3-13, SIS436DN-T1-GE3, CMUDM8005 TR, RMW150N03TB, RSD175N10TL.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage TK6A80E,S4X 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。