| 製造業者識別番号 | TPH2900ENH,L1Q |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 28270 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 200V 33A SOP8 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | TPH2900ENH,L1Q.pdf |
| 部品番号 | TPH2900ENH,L1Q |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 29 mOhm @ 16.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2200pF @ 100V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 78W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP Advance (5x5) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | TPH2900ENH,L1Q |
QY Componentsには、最高の価格があります。 TPH2900ENH,L1Q, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 TPH2900ENH,L1Q, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます TPH2900ENH,L1Q, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった DF2S6.8SC(TPL3), DF2B6.8M2SC(TPL3), DF2S6.8CT(TPL3), DF3A5.6LFU(TE85L,F, DF3A6.2F(TE85L,F), DF2B7M3SC,L3F, DF5A3.6CJE(TE85L,F, DF5A3.6JE(TE85L,F), DF5A6.2CJE(TE85L,F, DF5A6.2JE(TE85L,F) BUK9606-40B,118, TSM015NA03CR RLG, IPN80R600P7ATMA1, SVD5803NT4G, BUK768R3-60E,118, BUK965R4-40E,118, TSM045NB06CR RLG, TSM048NB06LCR RLG, BUK6607-75C,118, SIHD6N62ET1-GE3.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage TPH2900ENH,L1Q 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。