Toshiba Semiconductor and Storage 配給業者 www.qycomp.com TPH2R306NH,L1Q
製造業者識別番号TPH2R306NH,L1Q
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量155890 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード TPH2R306NH,L1Q.pdf

製品の属性

部品番号 TPH2R306NH,L1Q
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 72nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6100pF @ 30V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.6W (Ta), 78W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 TPH2R306NH,L1Q

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