| 製造業者識別番号 | TPH2R306NH,L1Q |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 155890 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | TPH2R306NH,L1Q.pdf |
| 部品番号 | TPH2R306NH,L1Q |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2.3 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 72nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6100pF @ 30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.6W (Ta), 78W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP Advance (5x5) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | TPH2R306NH,L1Q |
QY Componentsには、最高の価格があります。 TPH2R306NH,L1Q, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 TPH2R306NH,L1Q, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます TPH2R306NH,L1Q, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった 2SC2655-Y,T6KEHF(M, 2SC2655-Y,T6SWFF(M, 2SC2655-Y,T6WNLF(J, 2SC2655-Y,WNLF(J, 2SC3225,T6ALPSF(M, 2SC3328-O,T6KEHF(M, 2SC3328-Y,HOF(M, 2SC3328-Y,T6CKF(J, 2SC3665-Y(T2NSW,FM, 2SC3665-Y,T2F(J IRF7749L2TRPBF, IXTA44P15TTRL, IPP045N10N3GXKSA1, SUP53P06-20-E3, AUIRFS3107TRL, FDB035N10A, IPB025N08N3GATMA1, IRFP064NPBF, IXTA10P50PTRL, PSMN4R3-100PS,127.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH,L1Q 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。