| 製造業者識別番号 | TPH4R008NH,L1Q |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 135180 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | TPH4R008NH,L1Q.pdf |
| 部品番号 | TPH4R008NH,L1Q |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 80V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 59nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5300pF @ 40V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.6W (Ta), 78W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP Advance (5x5) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | TPH4R008NH,L1Q |
QY Componentsには、最高の価格があります。 TPH4R008NH,L1Q, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 TPH4R008NH,L1Q, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます TPH4R008NH,L1Q, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった RN4989(T5L,F,T), RN1902T5LFT, RN4986(T5L,F,T), RN1964TE85LF, RN1604(TE85L,F), RN2906FE(TE85L,F), RN2911FE(TE85L,F), RN1909FE(TE85L,F), RN2901FE(TE85L,F), RN1908(T5L,F,T) NTNS3190NZT5G, BSL211SPH6327XTSA1, SI3442BDV-T1-E3, SI3443BDV-T1-E3, BSC120N03MSGATMA1, PSMN7R5-30YLDX, PMV32UP,215, BSZ105N04NSGATMA1, SIA444DJT-T1-GE3, FDS8884.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R008NH,L1Q 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。