| 製造業者識別番号 | TPN2010FNH,L1Q |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 170550 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | TPN2010FNH,L1Q.pdf |
| 部品番号 | TPN2010FNH,L1Q |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 250V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 198 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 200µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 7nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 600pF @ 100V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | TPN2010FNH,L1Q |
QY Componentsには、最高の価格があります。 TPN2010FNH,L1Q, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 TPN2010FNH,L1Q, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます TPN2010FNH,L1Q, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった 2SA1761,F(J, 2SA1761,T6F(J, 2SA1761,T6F(M, 2SA1837(LBSAN,F,M), 2SA1837(PAIO,F,M), 2SA1837,F(J, 2SA1837,HFEMBJF(J, 2SA1837,HFEYHF(J, 2SA1837,HFEYHF(M, 2SA1837,NSEIKIF(J SIA432DJ-T1-GE3, FDMS7692A, SIR850DP-T1-GE3, FDMC7582, FDD6N50TM-WS, SI3438DV-T1-GE3, FDMC8026S, CDM4-650 TR13, STD4NS25T4, DMP3015LSSQ-13.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage TPN2010FNH,L1Q 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。