| 製造業者識別番号 | TPW4R008NH,L1Q |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 129200 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | TPW4R008NH,L1Q.pdf |
| 部品番号 | TPW4R008NH,L1Q |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 80V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 116A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 59nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5300pF @ 40V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 800mW (Ta), 142W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DSOP Advance |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | TPW4R008NH,L1Q |
QY Componentsには、最高の価格があります。 TPW4R008NH,L1Q, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 TPW4R008NH,L1Q, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます TPW4R008NH,L1Q, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった 2SC2655-Y,WNLF(J, 2SC3225,T6ALPSF(M, 2SC3328-O,T6KEHF(M, 2SC3328-Y,HOF(M, 2SC3328-Y,T6CKF(J, 2SC3665-Y(T2NSW,FM, 2SC3665-Y,T2F(J, 2SC3665-Y,T2NSF(J, 2SC3665-Y,T2YNSF(J, 2SC3668-O,T2CLAF(J FCH104N60F, R6015FNX, APT11N80BC3G, APT8M100B, SIHP28N60EF-GE3, FCA16N60N, IPA028N08N3GXKSA1, SIHP28N65EF-GE3, SIHG33N60E-GE3, SIHG33N60EF-GE3.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R008NH,L1Q 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。