Toshiba Semiconductor and Storage 配給業者 www.qycomp.com TPW4R008NH,L1Q
製造業者識別番号TPW4R008NH,L1Q
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量129200 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード TPW4R008NH,L1Q.pdf

製品の属性

部品番号 TPW4R008NH,L1Q
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 80V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 116A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 59nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5300pF @ 40V
FET機能 -
消費電力(最大) 800mW (Ta), 142W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-DSOP Advance
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 TPW4R008NH,L1Q

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