Renesas Electronics America 살수 장치 www.qycomp.com RJK6002DPH-E0#T2
제조업체 부품 번호RJK6002DPH-E0#T2
제조사Renesas Electronics America
제품 카테고리트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
사용 가능한 수량142690 Pieces
단가이메일로 견적 ([email protected])
기술MOSFET N-CH 600V 2A TO251
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
생산 상태 (수명주기)In Production
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 RJK6002DPH-E0#T2.pdf

제품 속성

부품 번호 RJK6002DPH-E0#T2
제조업체 리드 타임 6-8 weeks
조건 New & Unused, Original Sealed
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 6.2nC @ 10V
Vgs (최대) ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 165pF @ 25V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 30W (Tc)
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 TO-251
패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
무게 0.001 KG
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