| 제조업체 부품 번호 | RQ3E080BNTB |
|---|---|
| 제조사 | Rohm Semiconductor |
| 제품 카테고리 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
| 사용 가능한 수량 | 146030 Pieces |
| 단가 | 이메일로 견적 ([email protected]) |
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 생산 상태 (수명주기) | In Production |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | RQ3E080BNTB.pdf |
| 부품 번호 | RQ3E080BNTB |
|---|---|
| 제조업체 리드 타임 | 6-8 weeks |
| 조건 | New & Unused, Original Sealed |
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 15.2 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 660pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 2W (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | 8-HSMT (3.2x3) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 무게 | 0.001 KG |
| 신청 | Email for details |
| 교체 부품 | RQ3E080BNTB |
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