| 제조업체 부품 번호 | SI5975DC-T1-E3 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 제품 카테고리 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 |
| 사용 가능한 수량 | 70830 Pieces |
| 단가 | 이메일로 견적 ([email protected]) |
| 기술 | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 생산 상태 (수명주기) | In Production |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | SI5975DC-T1-E3.pdf |
| 부품 번호 | SI5975DC-T1-E3 |
|---|---|
| 제조업체 리드 타임 | 6-8 weeks |
| 조건 | New & Unused, Original Sealed |
| 부품 상태 | Obsolete |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 12V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.1A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력 - 최대 | 1.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 공급 업체 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ |
| 무게 | 0.001 KG |
| 신청 | Email for details |
| 교체 부품 | SI5975DC-T1-E3 |
QY 구성 요소가 가장 좋은 가격입니다. SI5975DC-T1-E3, 우리는 오직 정품 부품만을 판매합니다.
구매하려는 경우 SI5975DC-T1-E3, 견적을 요청하거나 이메일을 보내 주시면 12 시간 이내에 견적을 보내 드리겠습니다. 견적을 제출하면 SI5975DC-T1-E3, 우리는 당신에게 송장을 보내고 모든 국가에 당신에게 발송합니다.
우리의 이메일: [email protected]
QY 구성 요소는 Vishay Siliconix 모든 시리즈 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 구성 요소. 당신은 또한 다른 부분을 살 수 있습니다 Vishay Siliconix 과 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 우리로부터. 예 : VDRH10S150BSE, VDRH10S275BSE, VJ0805Y334MXXTW1BC, VJ0805Y394KXJTW1BC, VDRS10P460ASE, VDRS10P510TLE, VDRS10P510TSE, VDRH10S385BSE, VY1220K31U2JQ6TV0, VY1101K31Y5SQ6TV0 SI5515CDC-T1-E3, DMG4822SSDQ-13, NVMFD5C478NLT1G, SIZ322DT-T1-GE3, SIZ320DT-T1-GE3, BUK7K52-60EX, SI4946CDY-T1-GE3, SP8K52FRATB, NVMFD5C680NLWFT1G, NVMFD5C466NLT1G.
사다 Vishay Siliconix SI5975DC-T1-E3 우리와 함께 시간과 돈을 아끼십시오.