제조업체 부품 번호 | SIR610DP-T1-RE3 |
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제조사 | Vishay Siliconix |
제품 카테고리 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
사용 가능한 수량 | 51090 Pieces |
단가 | 이메일로 견적 ([email protected]) |
기술 | MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
생산 상태 (수명주기) | In Production |
배달 시간 | 1-2 Days |
날짜 코드 (D / C) | New |
데이터 시트 다운로드 | SIR610DP-T1-RE3.pdf |
부품 번호 | SIR610DP-T1-RE3 |
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제조업체 리드 타임 | 6-8 weeks |
조건 | New & Unused, Original Sealed |
부품 상태 | Active |
FET 유형 | N-Channel |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 200V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35.4A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 31.9 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (최대) | ±20V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1380pF @ 100V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 104W (Tc) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 |
패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 |
무게 | 0.001 KG |
신청 | Email for details |
교체 부품 | SIR610DP-T1-RE3 |
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