Vishay Siliconix 살수 장치 www.qycomp.com SIR610DP-T1-RE3
제조업체 부품 번호SIR610DP-T1-RE3
제조사Vishay Siliconix
제품 카테고리트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
사용 가능한 수량51090 Pieces
단가이메일로 견적 ([email protected])
기술MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
생산 상태 (수명주기)In Production
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 SIR610DP-T1-RE3.pdf

제품 속성

부품 번호 SIR610DP-T1-RE3
제조업체 리드 타임 6-8 weeks
조건 New & Unused, Original Sealed
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 35.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs 31.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 38nC @ 10V
Vgs (최대) ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1380pF @ 100V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 104W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
무게 0.001 KG
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