| 제조업체 부품 번호 | SPP04N80C3XK |
|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies |
| 제품 카테고리 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
| 사용 가능한 수량 | 86630 Pieces |
| 단가 | 이메일로 견적 ([email protected]) |
| 기술 | MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 생산 상태 (수명주기) | In Production |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | SPP04N80C3XK.pdf |
| 부품 번호 | SPP04N80C3XK |
|---|---|
| 제조업체 리드 타임 | 6-8 weeks |
| 조건 | New & Unused, Original Sealed |
| 부품 상태 | Obsolete |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 800V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.9V @ 240µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 570pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 63W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-TO220-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 무게 | 0.001 KG |
| 신청 | Email for details |
| 교체 부품 | SPP04N80C3XK |
QY 구성 요소가 가장 좋은 가격입니다. SPP04N80C3XK, 우리는 오직 정품 부품만을 판매합니다.
구매하려는 경우 SPP04N80C3XK, 견적을 요청하거나 이메일을 보내 주시면 12 시간 이내에 견적을 보내 드리겠습니다. 견적을 제출하면 SPP04N80C3XK, 우리는 당신에게 송장을 보내고 모든 국가에 당신에게 발송합니다.
우리의 이메일: [email protected]
QY 구성 요소는 Infineon Technologies 모든 시리즈 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 구성 요소. 당신은 또한 다른 부분을 살 수 있습니다 Infineon Technologies 과 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 우리로부터. 예 : BCR 108T E6327, BCR108WE6327BTSA1, BCR 112F E6327, BCR 112L3 E6327, BCR 112T E6327, BCR112WE6327BTSA1, BCR 114F E6327, BCR 114L3 E6327, BCR 114T E6327, BCR 116F E6327 PMV32UP,215, BSZ105N04NSGATMA1, SIA444DJT-T1-GE3, FDS8884, FDMA291P, SI2334DS-T1-GE3, DMT3020LFDF-7, IRL6342TRPBF, BUK9Y153-100E,115, FDS8878.
사다 Infineon Technologies SPP04N80C3XK 우리와 함께 시간과 돈을 아끼십시오.