| 제조업체 부품 번호 | TSM70N600CI C0G |
|---|---|
| 제조사 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 제품 카테고리 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
| 사용 가능한 수량 | 77100 Pieces |
| 단가 | 이메일로 견적 ([email protected]) |
| 기술 | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A ITO220 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 생산 상태 (수명주기) | In Production |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | TSM70N600CI C0G.pdf |
| 부품 번호 | TSM70N600CI C0G |
|---|---|
| 제조업체 리드 타임 | 6-8 weeks |
| 조건 | New & Unused, Original Sealed |
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 700V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 12.6nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 743pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 83W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | ITO-220 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| 무게 | 0.001 KG |
| 신청 | Email for details |
| 교체 부품 | TSM70N600CI C0G |
QY 구성 요소가 가장 좋은 가격입니다. TSM70N600CI C0G, 우리는 오직 정품 부품만을 판매합니다.
구매하려는 경우 TSM70N600CI C0G, 견적을 요청하거나 이메일을 보내 주시면 12 시간 이내에 견적을 보내 드리겠습니다. 견적을 제출하면 TSM70N600CI C0G, 우리는 당신에게 송장을 보내고 모든 국가에 당신에게 발송합니다.
우리의 이메일: [email protected]
QY 구성 요소는 Taiwan Semiconductor Corporation 모든 시리즈 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 구성 요소. 당신은 또한 다른 부분을 살 수 있습니다 Taiwan Semiconductor Corporation 과 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 우리로부터. 예 : P6SMB11A R5G, P6SMB120A R5G, P6SMB12A R5G, P6SMB130A R5G, P6SMB13A R5G, P6SMB150A R5G, P6SMB160A R5G, P6SMB16A R5G, P6SMB170A R5G, P6SMB18A R5G FDMS7692A, SIR850DP-T1-GE3, FDMC7582, FDD6N50TM-WS, SI3438DV-T1-GE3, FDMC8026S, CDM4-650 TR13, STD4NS25T4, DMP3015LSSQ-13, FCD3400N80Z.
사다 Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N600CI C0G 우리와 함께 시간과 돈을 아끼십시오.