,TO-226_straightlead.jpg)
| 제조업체 부품 번호 | VP2206N3-G |
|---|---|
| 제조사 | Microchip Technology |
| 제품 카테고리 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
| 사용 가능한 수량 | 124200 Pieces |
| 단가 | 이메일로 견적 ([email protected]) |
| 기술 | MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 생산 상태 (수명주기) | In Production |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | VP2206N3-G.pdf |
| 부품 번호 | VP2206N3-G |
|---|---|
| 제조업체 리드 타임 | 6-8 weeks |
| 조건 | New & Unused, Original Sealed |
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | P-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 640mA (Tj) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 10mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 450pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 740mW (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-92-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 무게 | 0.001 KG |
| 신청 | Email for details |
| 교체 부품 | VP2206N3-G |
QY 구성 요소가 가장 좋은 가격입니다. VP2206N3-G, 우리는 오직 정품 부품만을 판매합니다.
구매하려는 경우 VP2206N3-G, 견적을 요청하거나 이메일을 보내 주시면 12 시간 이내에 견적을 보내 드리겠습니다. 견적을 제출하면 VP2206N3-G, 우리는 당신에게 송장을 보내고 모든 국가에 당신에게 발송합니다.
우리의 이메일: [email protected]
QY 구성 요소는 Microchip Technology 모든 시리즈 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 구성 요소. 당신은 또한 다른 부분을 살 수 있습니다 Microchip Technology 과 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 우리로부터. 예 : MIC58P01BV TR, MIC58P01BWM, MIC58P01BWM-TR, MIC58P01YN, MIC58P42BN, MIC58P42BV, MIC58P42BV-TR, MIC58P42BWM, MIC58P42BWM-TR, MIC59P50BN STD46N6F7, IRF7805ZTRPBF, AON7520, CSD17579Q3AT, FDD6530A, NVMFS5885NLT1G, IRLR2905ZTRPBF, LND150N3-G, VN10KN3-G, IRFR3303TRPBF.
사다 Microchip Technology VP2206N3-G 우리와 함께 시간과 돈을 아끼십시오.