Número da peça do fabricante | EDB5432BEBH-1DAAT-F-D |
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Fabricante | Micron Technology Inc. |
Categoria de Produto | Memória |
Quantidade disponível | 106010 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | EDB5432BEBH-1DAAT-F-D.pdf |
Número da peça | EDB5432BEBH-1DAAT-F-D |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de Memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamanho da memória | 512Mb (16M x 32) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escreva tempo de ciclo - Palavra, Página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de Memória | Parallel |
Tensão - Fornecimento | 1.14 V ~ 1.95 V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 134-VFBGA |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 134-VFBGA (10x11.5) |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | EDB5432BEBH-1DAAT-F-D |
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