| Número da peça do fabricante | FDMD8900 |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Quantidade disponível | 91050 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | MOSFET 2N-CH 30V POWER |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | FDMD8900.pdf |
| Número da peça | FDMD8900 |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 19A, 17A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2605pF @ 15V |
| Power - Max | 2.1W |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 12-PowerWDFN |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 12-Power3.3x5 |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | FDMD8900 |
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