Número da peça do fabricante | GSID100A120T2C1 |
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Fabricante | Global Power Technologies Group |
Categoria de Produto | Transistores - IGBTs - Módulos |
Quantidade disponível | 141440 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | SILICON IGBT MODULES |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | GSID100A120T2C1.pdf |
Número da peça | GSID100A120T2C1 |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Three Phase Inverter |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1200V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Power - Max | 640W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 13.7nF @ 25V |
Entrada | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / Caso | Module |
Pacote de dispositivos de fornecedores | Module |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | GSID100A120T2C1 |
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