Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com IPB80N06S2L07ATMA1
Número da peça do fabricanteIPB80N06S2L07ATMA1
FabricanteInfineon Technologies
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível115400 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados IPB80N06S2L07ATMA1.pdf

Atributos do produto

Número da peça IPB80N06S2L07ATMA1
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Discontinued at Digi-Key
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 55V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3160pF @ 25V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 210W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO263-3-2
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição IPB80N06S2L07ATMA1

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Infineon Technologies Distribuidor

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