Número da peça do fabricante | IXTD3N50P-2J |
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Fabricante | IXYS |
Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
Quantidade disponível | 159050 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | MOSFET N-CH 500 |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | IXTD3N50P-2J.pdf |
Número da peça | IXTD3N50P-2J |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 409pF @ 25V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 70W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de dispositivos de fornecedores | Die |
Pacote / Caso | Die |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | IXTD3N50P-2J |
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