Nexperia USA Inc. Distribuidor www.qycomp.com PMV130ENEA/DG/B2R
Número da peça do fabricantePMV130ENEA/DG/B2R
FabricanteNexperia USA Inc.
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível90950 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados PMV130ENEA/DG/B2R.pdf

Atributos do produto

Número da peça PMV130ENEA/DG/B2R
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 20V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 5W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-236AB
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição PMV130ENEA/DG/B2R

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