Nexperia USA Inc. Distribuidor www.qycomp.com PSMN4R3-80ES,127
Número da peça do fabricantePSMN4R3-80ES,127
FabricanteNexperia USA Inc.
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível24860 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados PSMN4R3-80ES,127.pdf

Atributos do produto

Número da peça PSMN4R3-80ES,127
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 80V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 111nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8161pF @ 40V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 306W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores I2PAK
Pacote / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição PSMN4R3-80ES,127

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