Número da peça do fabricante | RN1910FE,LF(CT |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria de Produto | Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos |
Quantidade disponível | 12880 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | RN1910FE,LF(CT.pdf |
Número da peça | RN1910FE,LF(CT |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Frequência - Transição | 250MHz |
Power - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de dispositivos de fornecedores | ES6 |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | RN1910FE,LF(CT |
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