| Número da peça do fabricante | RN1963FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de Produto | Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos |
| Quantidade disponível | 460968 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | RN1963FE(TE85L,F).pdf |
| Número da peça | RN1963FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequência - Transição | 250MHz |
| Power - Max | 100mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | ES6 |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | RN1963FE(TE85L,F) |
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