Número da peça do fabricante | SCT10N120 |
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Fabricante | STMicroelectronics |
Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
Quantidade disponível | 186920 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | SCT10N120.pdf |
Número da peça | SCT10N120 |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 1200V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690 mOhm @ 6A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 20V |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 400V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 150W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de dispositivos de fornecedores | HiP247™ |
Pacote / Caso | TO-247-3 |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | SCT10N120 |
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