STMicroelectronics Distribuidor www.qycomp.com SCTWA50N120
Número da peça do fabricanteSCTWA50N120
FabricanteSTMicroelectronics
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível59840 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados SCTWA50N120.pdf

Atributos do produto

Número da peça SCTWA50N120
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 1200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 20V
Vgs (Max) +25V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 400V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 318W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores HiP247™
Pacote / Caso TO-247-3
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição SCTWA50N120

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