| Numero di parte del produttore | SCTWA50N120 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Quantità disponibile | 59840 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | SCTWA50N120.pdf |
| Numero di parte | SCTWA50N120 |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | +25V, -10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 400V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 318W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | HiP247™ |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | SCTWA50N120 |
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