Vishay Siliconix Distribuidor www.qycomp.com SIR410DP-T1-GE3
Número da peça do fabricanteSIR410DP-T1-GE3
FabricanteVishay Siliconix
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível93370 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados SIR410DP-T1-GE3.pdf

Atributos do produto

Número da peça SIR410DP-T1-GE3
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 10V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® SO-8
Pacote / Caso PowerPAK® SO-8
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição SIR410DP-T1-GE3

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