| Número da peça do fabricante | SIZF916DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Quantidade disponível | 192860 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | MOSFET N-CH DUAL 30V |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | SIZF916DT-T1-GE3.pdf |
| Número da peça | SIZF916DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 40A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V, 95nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V |
| Power - Max | 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-PowerWDFN |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-PowerPair® (6x5) |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | SIZF916DT-T1-GE3 |
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