Hersteller-Teilenummer | A2T18S262W12NR3 |
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Hersteller | NXP USA Inc. |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - HF |
verfügbare Anzahl | 41700 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | A2T18S262W12NR3.pdf |
Artikelnummer | A2T18S262W12NR3 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | LDMOS |
Frequenz | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
Gewinnen | 19.3dB |
Spannung - Test | 28V |
Aktuelle Bewertung | 10µA |
Rauschzahl | - |
Aktueller Test | 1.6A |
Leistung | 231W |
Spannung - Bewertet | 65V |
Paket / Fall | OM-880X-2L2L |
Lieferantengerätepaket | OM-880X-2L2L |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | A2T18S262W12NR3 |
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