| Número de pieza del fabricante | A2T18S262W12NR3 |
|---|---|
| Fabricante | NXP USA Inc. |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - RF |
| Cantidad disponible | 41700 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | A2T18S262W12NR3.pdf |
| Número de pieza | A2T18S262W12NR3 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | LDMOS |
| Frecuencia | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Ganancia | 19.3dB |
| Voltaje - Prueba | 28V |
| Valoración actual | 10µA |
| Figura de ruido | - |
| Actual - Prueba | 1.6A |
| Salida de potencia | 231W |
| Voltaje - Clasificación | 65V |
| Paquete / caja | OM-880X-2L2L |
| Paquete de dispositivo del proveedor | OM-880X-2L2L |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | A2T18S262W12NR3 |
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