Hersteller-Teilenummer | BSG0813NDIATMA1 |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
verfügbare Anzahl | 73710 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | BSG0813NDIATMA1.pdf |
Artikelnummer | BSG0813NDIATMA1 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 19A, 33A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 12V |
Leistung max | 2.5W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Lieferantengerätepaket | PG-TISON-8 |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | BSG0813NDIATMA1 |
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