Infineon Technologies 配給業者 www.qycomp.com BSG0813NDIATMA1
製造業者識別番号BSG0813NDIATMA1
メーカーInfineon Technologies
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
利用可能な数量73710 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード BSG0813NDIATMA1.pdf

製品の属性

部品番号 BSG0813NDIATMA1
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 Logic Level Gate, 4.5V Drive
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 25V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 19A, 33A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 8.4nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1100pF @ 12V
電力 - 最大 2.5W
動作温度 -55°C ~ 155°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
サプライヤデバイスパッケージ PG-TISON-8
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 BSG0813NDIATMA1

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