製造業者識別番号 | BSG0813NDIATMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
利用可能な数量 | 73710 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | BSG0813NDIATMA1.pdf |
部品番号 | BSG0813NDIATMA1 |
---|---|
メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
FET機能 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 25V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 19A, 33A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1100pF @ 12V |
電力 - 最大 | 2.5W |
動作温度 | -55°C ~ 155°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TISON-8 |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | BSG0813NDIATMA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 BSG0813NDIATMA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 BSG0813NDIATMA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます BSG0813NDIATMA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 私たちから。 といった T7300N85X203A11XPSA1, BC857SH6327XTSA1, SMBTA06UPNE6327HTSA1, BCV62BE6327HTSA1, BCM856SH6327XTSA1, BCV62AE6327HTSA1, BC817UE6327HTSA1, BC817UPNE6327HTSA1, BCV62CE6327HTSA1, BC846SH6327XTSA1 AO4807, IRF7506TRPBF, SI4804CDY-T1-GE3, NTMD6N03R2G, ECH8668-TL-H, QS8M11TCR, SI6954ADQ-T1-E3, IRF8915TRPBF, DMN2011UFX-7, DMN4027SSD-13.
購入 Infineon Technologies BSG0813NDIATMA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。