| Hersteller-Teilenummer | BSM180D12P2C101 |
|---|---|
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| verfügbare Anzahl | 158630 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | BSM180D12P2C101.pdf |
| Artikelnummer | BSM180D12P2C101 |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 180A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 10V |
| Leistung max | 1130W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | BSM180D12P2C101 |
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