Rohm Semiconductor Distributeur www.qycomp.com BSM180D12P2C101
Référence fabricantBSM180D12P2C101
FabricantRohm Semiconductor
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible158630 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article BSM180D12P2C101
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 35.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 10V
Puissance - Max 1130W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage -
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Rohm Semiconductor Distributeur

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