Hersteller-Teilenummer | CYD09S18V18-200BBXC |
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Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
Produktkategorie | Speicher |
verfügbare Anzahl | 171220 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | CYD09S18V18-200BBXC.pdf |
Artikelnummer | CYD09S18V18-200BBXC |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Speichergröße | 9Mb (512K x 18) |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 3.3ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 256-LBGA |
Lieferantengerätepaket | 256-FBGA (17x17) |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | CYD09S18V18-200BBXC |
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