| Numero di parte del produttore | CYD09S18V18-200BBXC |
|---|---|
| fabbricante | Cypress Semiconductor Corp |
| Categoria di prodotto | Memoria |
| Quantità disponibile | 171220 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | CYD09S18V18-200BBXC.pdf |
| Numero di parte | CYD09S18V18-200BBXC |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Dimensione della memoria | 9Mb (512K x 18) |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | 3.3ns |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 256-LBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 256-FBGA (17x17) |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | CYD09S18V18-200BBXC |
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