Hersteller-Teilenummer | DF200R12KE3HOSA1 |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistoren - IGBTs - Module |
verfügbare Anzahl | 50250 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | DF200R12KE3HOSA1.pdf |
Artikelnummer | DF200R12KE3HOSA1 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Single |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | - |
Leistung max | 1040W |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 5mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | DF200R12KE3HOSA1 |
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