Numero di parte del produttore | DF200R12KE3HOSA1 |
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fabbricante | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Moduli |
Quantità disponibile | 50250 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | DF200R12KE3HOSA1.pdf |
Numero di parte | DF200R12KE3HOSA1 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | 1040W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | DF200R12KE3HOSA1 |
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