Diodes Incorporated Verteiler www.qycomp.com DMG4N60SK3-13
Hersteller-TeilenummerDMG4N60SK3-13
HerstellerDiodes Incorporated
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
verfügbare Anzahl137780 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungMOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen DMG4N60SK3-13.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer DMG4N60SK3-13
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 532pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 48W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil DMG4N60SK3-13

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