Diodes Incorporated Distribuidor www.qycomp.com DMG4N60SK3-13
Número da peça do fabricanteDMG4N60SK3-13
FabricanteDiodes Incorporated
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível137780 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados DMG4N60SK3-13.pdf

Atributos do produto

Número da peça DMG4N60SK3-13
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 532pF @ 25V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 48W (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-252
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição DMG4N60SK3-13

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Diodes Incorporated Distribuidor

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