GeneSiC Semiconductor Verteiler www.qycomp.com GA10SICP12-263
Hersteller-TeilenummerGA10SICP12-263
HerstellerGeneSiC Semiconductor
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
verfügbare Anzahl63780 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungTRANS SJT 1200V 25A TO263-7
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen GA10SICP12-263.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer GA10SICP12-263
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Active
FET Typ -
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1403pF @ 800V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 170W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (7-Lead)
Paket / Fall TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil GA10SICP12-263

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