GeneSiC Semiconductor Distributeur www.qycomp.com GA10SICP12-263
Référence fabricantGA10SICP12-263
FabricantGeneSiC Semiconductor
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible63780 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionTRANS SJT 1200V 25A TO263-7
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article GA10SICP12-263
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type -
La technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1403pF @ 800V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 170W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D2PAK (7-Lead)
Paquet / cas TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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GeneSiC Semiconductor Distributeur

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