| Référence fabricant | GA10SICP12-263 |
|---|---|
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| quantité disponible | 63780 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | GA10SICP12-263.pdf |
| Numéro d'article | GA10SICP12-263 |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| FET Type | - |
| La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1403pF @ 800V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 170W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | D2PAK (7-Lead) |
| Paquet / cas | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | GA10SICP12-263 |
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