| Hersteller-Teilenummer | GT60N321(Q) |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistoren - IGBTs - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 21680 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | GT60N321(Q).pdf |
| Artikelnummer | GT60N321(Q) |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Obsolete |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1000V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 60A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 120A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
| Leistung max | 170W |
| Energie wechseln | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 330ns/700ns |
| Testbedingung | - |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 2.5µs |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3PL |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P(LH) |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | GT60N321(Q) |
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