| Numero di parte del produttore | GT60N321(Q) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Singoli |
| Quantità disponibile | 21680 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | GT60N321(Q).pdf |
| Numero di parte | GT60N321(Q) |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
| Potenza - Max | 170W |
| Cambiare energia | - |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 330ns/700ns |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-3PL |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P(LH) |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | GT60N321(Q) |
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