Hersteller-Teilenummer | H11G2M_F132 |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Optoisolatoren - Transistor, Fotovoltaischer Ausgang |
verfügbare Anzahl | 121970 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | H11G2M_F132.pdf |
Artikelnummer | H11G2M_F132 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Obsolete |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 4170Vrms |
Aktueller Übertragungsgrad (Min.) | 1000% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (maximal) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 5µs, 100µs |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Darlington with Base |
Spannung - Ausgang (Max) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V |
Aktuell - DC Vorwärts (If) (Max) | 60mA |
Vce Sättigung (Max) | 1V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Lieferantengerätepaket | 6-DIP |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | H11G2M_F132 |
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