ON Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com H11G2M_F132
Número de pieza del fabricanteH11G2M_F132
FabricanteON Semiconductor
categoria de productoOptoaisladores - Transistor, salida fotovoltaica
Cantidad disponible121970 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos H11G2M_F132.pdf

Atributos del producto

Número de pieza H11G2M_F132
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Obsolete
número de canales 1
Voltaje - Aislamiento 4170Vrms
Ratio de transferencia actual (Min) 1000% @ 10mA
Ratio de transferencia actual (máximo) -
Tiempo de encendido / apagado (Tipo) 5µs, 100µs
Tiempo de subida / bajada (Tipo) -
Tipo de entrada DC
Tipo de salida Darlington with Base
Voltaje - Salida (Máx) 80V
Corriente - Salida / Canal -
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) 1.3V
Current - DC Forward (If) (Max) 60mA
Saturación de Vce (Máx) 1V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 100°C
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete de dispositivo del proveedor 6-DIP
Peso 0.001 KG
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Repuesto H11G2M_F132

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ON Semiconductor Distribuidor

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