Référence fabricant | H11G2M_F132 |
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Fabricant | ON Semiconductor |
catégorie de produit | Opto-isolateurs - Transistors, sortie photovoltaïque |
quantité disponible | 121970 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | H11G2M_F132.pdf |
Numéro d'article | H11G2M_F132 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Obsolete |
Nombre de canaux | 1 |
Voltage - Isolation | 4170Vrms |
Rapport de transfert actuel (Min) | 1000% @ 10mA |
Rapport de transfert actuel (Max) | - |
Activer / désactiver le temps (Typ) | 5µs, 100µs |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Avant (Vf) (Typ) | 1.3V |
Courant - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package de périphérique fournisseur | 6-DIP |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | H11G2M_F132 |
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